光電耦合元件是以光（含可見光、紅外線等）作為媒介來傳輸電信號的一組裝置，其功能是平時讓輸入電路及輸出電路之間隔離，在需要時可以使電信號通過隔離層的傳送方式。光電耦合元件（英語：opticalcoupler，或英語：photocoupler），亦稱光耦合器、光隔離器以及光電隔離器，簡稱光耦。

　　光電耦合元件可以在二個不共地的電路之間傳遞信號，二電路之間即使有高壓也不會影響。商用的光電耦合元件其輸入對輸出的耐壓可以到10kV，而電壓變化率可以快到10kV/μs。

　　光電耦合元件可分為模擬與數(shù)字兩種，都是由光發(fā)射器和光偵測器組成。光發(fā)射器和光偵測器通常會整合到同一個封裝，但它們之間除了光束之外不會有任何電氣或實體連接。

　　常見的光電耦合元件是將發(fā)光二極管（LED）及光晶體管（LED）放在一個不透明的封裝中。其他的組合有LED-光電二極管、LED-LASCR及燈泡-光敏電阻。光電耦合元件一般會傳遞數(shù)字信號，但配合一些技術，也可以用光電耦合元件傳送模擬信號。

　　光電耦合元件廣泛用于電氣隔離、電平轉換、驅動電路及工業(yè)通訊中，但因為寄生輸入輸出電容問題，其共模瞬變抑制（Common-ModeTransientImmunity）能力較弱，此外，其速度受限、光電耦合元件的功耗較高，以及元件容易老化都是其問題。

歷史

　　用光學方式耦合固態(tài)光發(fā)射器及半導體感測器的想法是在1963由Akmenkalns等人提出（USpatent3,417,249）。光敏電阻為基礎的光電耦合元件在1968年問世，其速度慢，但是是最線性隔離元件，在音樂及音響產業(yè)中仍有其利基市場。LED技術在1968–1970年的商品化，使得光電工程大幅成長，在1970年代末各種主要的光電耦合元件均已開發(fā)出來。光電耦合元件的主力是雙極性的硅光晶體感測器，可以達到足夠的的傳輸速度，足以用在像腦電圖之類的應用上，目前最快的光電耦合元件是利用光導模式的PIN型二極管。

原理

　　光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號放大。

　　輸入的電信號驅動光發(fā)射源，使之發(fā)光，被光探測器接收而產生光電流，再經過進一步放大后輸出。這就完成了電—光—電的轉換，從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。又由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件，具有很強的共模抑制能力。所以，它在長線傳輸資訊中作為終端隔離元件可以大大提高信噪比。在電腦數(shù)位通信及即時控制中作為信號隔離的界面器件，可以大大增加其工作之可靠性。

　　光耦合器的光發(fā)射源一般會是紅外線的發(fā)光二極管，將電能轉換為特定波長的光，在發(fā)射源及接收器之間會有封閉式的光通道（也稱為電介質通道），接收器是光感測器，感測特定波長的光，可能直接轉換成電能量，也可能由此信號調變外部電源提供的電流。接收器可以是光敏電阻、光電二極管、光晶體管、可控硅整流器（SCR）或TRIAC。發(fā)光二極管除了發(fā)射光之外，也可以作為光感測元件，因此可以用發(fā)光二極管作光感測元件，即為對稱性雙向光耦合器。光耦合的固態(tài)繼電器其中由有光電二極管的光耦合器來驅動功率開關，一般是一對互補的MOSFET。開槽光學開關包括光發(fā)射源及接收器，但其光通道有開口，若其他物體擋住開口，使光無法通過，則接收器產生的信號也會隨之變化。

電氣隔離

　　標準雙列直插封裝中光電耦合元件，平面（上方）及硅圓頂（下方）配置的截面圖。LED（紅色）和感測器（綠色）的大小都比實際大小要大

　　電子零件、電氣信號及電源線都會受到閃電、靜電放電、電磁干擾、切換脈波及電源擾動所產生的電壓所影響。遠方閃電可以感應大到10kV的電壓，是許多電子元件耐壓的一千倍。電路也可以透過設計方式連接高電壓，此時就需要安全而可靠的裝置連接高電壓及低電壓的元件。。

　　光電耦合元件的主要功能之一是要阻隔高電壓以及電壓暫態(tài)，不讓這些電路中的電壓暫態(tài)影響電路的其他部分。以往這類的機能會由隔離變壓器實現(xiàn)，利用電感耦合讓電流隔離的輸入及輸出端可以傳遞訊號。變壓器及光電耦合元件是僅有二種提供加強保護的功能，同時保護設備以及使用這些設備的人員。這些設備在物理上只有單一的隔離層，但提供的保護相當于IEC電器等級中，具有雙重隔離的Ⅱ類電器。光電耦合元件的安全性、測試及承認受到各國以及國際性標準的規(guī)范：IEC60747-5-2，歐洲電工標準化委員會60747-5-2、UL1577及CSAComponentAcceptanceNotice#5等。制造商發(fā)行的光電耦合元件規(guī)格至少需符合其中一項法規(guī)標準。

　　光電耦合元件透過由輸入信號調變的光束連接輸入端及輸出端，會將有用的輸入信息轉換為光，讓光通過介電質，送到接收端再轉換為電氣訊號。變壓器的本質可以雙向傳遞能量，而且轉換效率很高，而光電耦合元件和變壓器不同，光電耦合元件多半只允許單向的信號轉換（不過也有例外，參考雙向光耦合器），而且不能轉換功率。一般光電耦合元件不轉換能量，只能提供信號，用信號將輸出側能量調變后再輸出。光電耦合元件可以轉換直流或是緩慢變化的信號，在輸入及輸出側不需要阻抗匹配。變壓器及光電耦合元件都可以破壞不希望出現(xiàn)的接地回路，接地回路是在工業(yè)上及電氣設備中常見的情形，會因為接地線造成大電流或是噪聲電流。

　　光電耦合元件的實體配置和其隔離電壓的規(guī)格有關。若耐壓在數(shù)kV以下，一般會用平面（或是三明治）的架構。感測器晶粒會直接安裝在其封裝（多半是6引腳或是4引腳的雙列直插封裝）的導線架上。感測器晶粒上方會包覆一層玻璃或是透明塑膠。LED會在上方往下發(fā)光，減少光的損失，感測器的吸收頻譜需要符合LED的輸出頻譜，多半都在近紅外線的范圍。光通道會在可承容擊穿電壓而不會破壞的條件下，作的越薄越好。例如，若短時間的電壓要耐到3.75kV，且要承受電壓變化率1kV/μs的電壓，AvagoASSR-300的透明聚酰亞胺層只有0.08mm厚。平面組件的擊穿電壓會和光通道層的厚度、以及連接晶粒和引腳的接合線的組態(tài)有關。真正在電路中的絕緣電壓會因為印刷電路板及包裝表面的爬電距離有關。安全的設計準則會要求和裸金屬導體至少要有25mm/kV的距離，和涂層導體的最小距離則是8.3mm/kV。

　　若是耐壓在2.5to6kV之間的光電耦合元件，會采用另一種稱為硅圓頂（siliconedome）的架構。在此架構中，LED和感測器會放在包裝的兩側，LED會向側面的感測器發(fā)光。LED、感測器及兩者之間的空隙會用透明的硅氧樹脂圓頂包覆住。圓頂?shù)淖饔妙愃品瓷溏R，會反射所有的雜散光，反射到感測器上，減少較長光通道造成的損耗。若是雙模設計，其硅圓頂（內模）及外殼（外模）之間會充填暗色的介電材質，而且有適當?shù)臒崤蛎浵禂?shù)。

種類

　　元件形式 光源 感測器種類  速度 電流轉換比（CTR）

　　電阻輸出式光隔離器

　　（Vactrol） 電燈泡 CdS或CdSe光敏電阻（LDR） 非常慢 <100%

　　氖燈 低

　　GaAs紅外線LED 低

　　二極管輸出型光耦合器 GaAs紅外線LED 硅光電二極管 最高 0.1–0.2%

　　晶體管輸出型光耦合器    GaAs紅外線LED 單一雙極晶體管型硅光晶體管 中等 2–120%

　　達靈頓晶體管型光晶體管 中等 100–600%

　　光耦合式SCR GaAs紅外線LED 硅控整流子 從低到中 >100%

　　光耦合式TRIAC GaAs紅外線LED TRIAC 從低到中 非常高

　　固態(tài)繼電器 GaAs紅外線LED疊層 光二極管疊層驅動

　　一對MOSFET或IGBT 從低到高 實務上沒有限制

• 　　晶體管耦合器：具有較高的換能效率，高耐壓性，低輸入驅動能力

• 　　高速集成電路輸出耦合器：它有提供高速集成光能力的接收元件，速度為1－10兆赫茲。

• 　　三端雙向可控硅耦合器：這種類型的耦合器主要用來控制AC載荷，例如發(fā)動機和螺線管。

• 　　線性耦合器：結構由紅外線LED，與紅外線接收二極管組成，其輸出為純電流訊號。輸入電流與輸出電流有線性關系比，在光電二極管未飽和前，為線性輸出特性。

• 　　光電繼電器SSR：又名固態(tài)繼電器或光電MOSFET，因為在一個輸出處里裝配二顆MOSFET，在產品導通后，會與一般MOSFET相同，呈現(xiàn)電阻特性。

電阻輸出式光耦合器

　　最早期的光耦合器出現(xiàn)在1960年代，是由微型電燈泡為光源，使用硫化鎘（CdS）或硒化鎘（CdSe）光電阻（也稱為光敏電阻，LDR）為接收器，即為電阻輸出式光耦合器。若在控制線性度不太重要的場合，或是可用電流太小，無法點亮電燈泡的情形（例如真空管放大器），會用氖燈代替電燈泡。這類設備（或者只是LDR）一般稱為Vactrols，是Vactec公司的商標。不過此商標已經屬于通用商標，但原始的Vactrols仍然由珀金埃爾默制造。

　　電燈泡的點亮及熄滅時間約需數(shù)百毫秒，因此電燈泡變成等效的低通濾波器及整流器但也限制了頻率超過幾赫茲以上的應用。發(fā)光二極管（LED）在1968年–1970年引入，，制造商將電燈泡及氖燈改成LED，反應時間降到5ms，而且調變頻率可以高到250Hz.。Vactrol此一商品也包括LED基礎的零件，在2010年仍有小量的生產。

　　光電耦合元件中的光電阻是靠一層半導體均勻薄膜上的體效應，沒有p-n結。光感測器及光電阻器都是非極性元件，適用于交流及直流電路。其電阻降和入射光的強度成反比，從本質上接近無限大，到小于100歐姆的殘余電阻。這些性質讓最早的Vactrol變成一個可用在電信網絡的動態(tài)范圍壓縮及自動增益控制元件，既便宜及方便。光電阻的耐壓可以到400volts,，因此是驅動真空熒光顯示器的理想元件。其他工業(yè)化應用包括復印機、工業(yè)自動化技術、專業(yè)測光設備以及曝光量測的曝光量測計。這些應用大部分都已經過時，不過電阻輸出式光耦合器在音響上仍有其優(yōu)勢，特別是在吉他音箱市場中。

　　1960年代美國的吉他及風琴制造商用電阻輸出式光耦合器作為便宜及方便的震音調制器。芬達樂器公司早期的震音效果是用兩個真空管，在1964年后一個真空管就被由光敏電阻及氖燈組成的光耦合器取代了。至今透過踏下效果器踏板而啟動的Vactrols在音樂產業(yè)中無所不在。缺乏真正的PerkinElmerVactrols迫使DIY吉他社群開始自制電阻輸出式光耦合器。到目前為主，吉他手喜歡光耦合器的效果，因為電路架構分離了音源地及控制地的信號，因此“有本質上高品質的聲音”，不過光耦合器在及線性電平位準的失真仍比專業(yè)的電耦合式壓控放大器要大。而且這類光耦合器的性能會進一步的被因為光記憶（lighthistory，鎘化合物本質上會有的記憶效應）造成的電阻緩慢波動而影響。這類波動需數(shù)個小時才會穩(wěn)定下來，而且只能被控制電路中的反饋抵消部分的影響。

光二極管輸出型光耦合器

　　光二極管輸出型光耦合器利用LED為光源，硅的光電二極管為感測器。若光二極管被外部電壓源逆向偏壓，入射光會減少二極管上的負向電流。二極管本身不會產生能量，而是調變由外部來源提供的能量。這種運作方式稱為“光導模式”（photoconductivemode）。相對的，若沒有外部的偏壓，二極管會轉換光能為電勢能，將電壓差最多有0.7V的端子充電。充電的速度和入射光的強度成正比。可以透過外部的高阻阻路徑排出電荷來獲得能量，電流轉換比例可以高到0.2%，此模式稱為“光伏模式”（photovoltaicmode）。

　　最快的光耦合器是使用在光導模式下的PIN二極管，其反應時間是在納秒以下，整體的系統(tǒng)速度會受限于LED輸出及偏壓電路，為了要減少其延遲，高速的數(shù)位光耦合器會將LED驅動電路以及輸出放大器整合到其光耦合器，以讓速度最佳化。這類設備稱為全邏輯光耦合器，其LED、感測器及相關驅動電路及數(shù)位邏輯電路都封裝在一個包裝內。惠普在1970年代末推出的6N137/HPCL2601系列都有內部的輸出放大器，其通訊速度可以到10MBd。這也成為當時的產業(yè)標準，一直到后來從惠普分家的安捷倫科技，在2002年導入50MBd的元件7723/0723系列，才超越此一標準，其中包括CMOS的LED驅動器以及CMOS緩沖放大器，需要二組獨立的5V電源。

　　光二極管輸出型光耦合器可以用做類比信號的界面電路，不過二極管的電流電壓非線性特性會造成振幅變形。Burr-Brown公司導入了一種特殊的類比光耦合器，用二個相同的光二極管及輸入端的運算放大器來補償二極管的非線性。其中一顆光二極管放在放大器的回授路徑上，因此可以維持固定的電流轉換比，不會受到光二極管的非線性影響。

　　在2011年6月3日有廠商提出了新的類比光耦合器概念，概念的組態(tài)包括二部分，一部分的電路負責轉換信號，另一組則負責產生負回授，以確保輸出信號和輸入的相同。提出的類比隔離器在大范圍的工作電壓及頻率下都是線性的。不過線性的電阻輸出式光耦合器以前就已使用此一概念，例如IL300。

　　利用MOSFET制成的固態(tài)繼電器開關一般會配合一個二極管輸出型光耦合器來驅動開關。MOSFET的閘極需要相對較小的電荷來使其開啟，且其穩(wěn)態(tài)的漏電流較小。光伏模式的二極管輸出型光耦合器可以在短時間內產生導通的電荷來使其開啟，但其輸出電壓比MOSFET閾值電壓要小很多。為了使輸出電壓大于閾值電壓，固態(tài)繼電器會將最多13個光二極管串聯(lián)，以產生需要的電壓

光晶體管輸出型光耦合器

　　光晶體管在本質上就比光二極管要慢。最早期且速度最慢的是4N35光耦合器，在100Ohm負載下，上升及下降時間需5微秒，但仍相當常用，其帶寬無法超過10kHz，10kHz就可以應用在像腦電圖[8]或是脈沖寬度調變馬達控.的應用。像1983年原始的MIDI規(guī)格就建議用像PC-900或6N138光耦合器，讓數(shù)位資料的傳輸速度可以到數(shù)十kps。為了達到最快的速度，光晶體管需要適合的偏置及提供適當?shù)呢撦d，例如4N28在最佳偏置下可以運作到50kHz，但一般情形只有4kHz。

　　設計光晶體管輸出型光耦合器的電路需要針對常見電子元件參數(shù)的大幅波動預留足夠的裕。有些參數(shù)的波動是破壞性的，例如若直流-直流轉換器回授電路中的光耦合器其傳遞函數(shù)變化，而且產生寄生振蕩，或是光耦合器有未預期的延遲，會造成H橋中某一腳的短路[，供應商的資料表只列出關鍵參數(shù)的最壞情形數(shù)值。實際的元件常會以一些不可預測的方式，讓情形比資料表中的最壞情形更差鮑伯·皮斯發(fā)現(xiàn)某一些4N28的電流轉換器可以從15%變化到超過100%，資料表只列出其最小值10%。晶體管雙極性晶體管的beta可能從300變化到3000，因此帶寬變化為10:1。

　　利用場效應管（FET）為感測器的光耦合器較少見，像vactrol一様，若FET的跨壓沒有超過數(shù)百mV時，可以用來作遠端控制的類比電位器。光學的FET在導通時不需注入電荷到輸出電路中，特別適用在取樣保持電路中

雙向光耦合器

　　目前提到所有的光耦合器都是單向的，光學通道是單向的，信號從光源（LED）傳到感測器。感測器可能是光電阻器、光二極管或是光晶體管，但都不能發(fā)射光線。但LED和其他的光電二極管一様可以偵測入射的光，因此在概念上可以用一組LED作雙向的光耦合器。最簡單的雙向光耦合器只是一組彼此相對的LED，再用熱縮套管包覆在一起，若是需要，LED之間的間隙可以用光導纖維來延伸。

　　可見光LED的轉換效率較差，一般雙向設備一般會用近紅外線的GaAs、GaAs:Si及砷化鋁鎵LED。用GaAs:Si的LED所制的雙向光耦合器，不論運作在光電二極管的光伏（photovoltaic）模式或是光導（photoconductive）模式下，電流轉換效率都只有0.06%，比用光二極管的單向光耦合器要差，但已經符合實際的應用需求。

應用

　　光電耦合元件廣泛用于電氣絕緣、電平轉換、級間耦合、驅動電路、開關電路、斬波器、多諧振蕩器、信號隔離、級間隔離、數(shù)位儀表、遠距離信號傳輸（工業(yè)通訊）、脈沖放大、固態(tài)繼電器（SSR）、儀器儀表、通信設備及微機電界面中。

　　在單片開關電源中，利用線性光耦合器可構成光耦回饋電路，通過調節(jié)控制端電流來改變占空比，達到精密穩(wěn)壓目的。

組態(tài)種類

　　一般來說，光電耦合元件是封閉配對的配置，也就是在在一個不透明的封裝內有光發(fā)射器及光感測器面對面擺放。

　　有些光電耦合元件是“槽型耦合元件-中斷器”的組態(tài)，光電耦合元件在發(fā)射器及感測器之間有開槽，而且可以影響其信號。這類的光電耦合元件適用在物體偵測，振動偵測，以及無彈跳的切換。

　　有些光電耦合元件是“反射對”的組態(tài)，其中有一個光源會發(fā)射光，另一個接收源，但是是接收由其他物體反射的光。反射式的光電耦合元件適用在轉速表、運動偵測器以及反射監(jiān)視器。

　　后面兩種也稱為“光感測器”（optosensors）。

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